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臭氧實(shí)驗(yàn)裝置一站式服務(wù)平臺(tái)
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原子層沉積系統(tǒng)含臭氧發(fā)生器參數(shù)介紹
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 原子層沉積系統(tǒng)含臭氧發(fā)生器參數(shù)介紹
原子層沉積 （ Atomic layer deposition, ALD ）是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替的通入反應(yīng)器，化學(xué)吸附在沉積襯底上 并反應(yīng) 形成沉積膜的一種方法，是一種可以將物質(zhì)以單原子 膜形式 逐層的鍍?cè)谝r底表面的方法。因此，它是一種真正的“納米”技術(shù)，以精確控制方式實(shí)現(xiàn)納米級(jí)的超薄薄膜沉積。由于 ALD 利用的是飽和化學(xué)吸附的特性，因此可以確保對(duì)大面積、多空、管狀、粉末或其他復(fù)雜形狀基體的高保形的均勻沉積。

序號(hào) 參數(shù)
一．使用環(huán)境要求： 1．溫度：室溫
2．相對(duì)濕度：小于60%
3．電源：50-60Hz, 220V /15A
二．設(shè)備組成： 1．更大直徑6英寸（150毫米）基片尺寸的原子層沉積系統(tǒng)，包括6路前驅(qū)體源輸運(yùn)系統(tǒng)
2．電控系統(tǒng)：PLC沉積自動(dòng)控制系統(tǒng)            
3．操作軟件：沉積程序控制軟件                  
4．真空機(jī)械泵與相關(guān)管路
三．技術(shù)參數(shù)： 1．反應(yīng)腔
316L不銹鋼。可以生長(zhǎng)更大6 英寸樣品的腔體，氮?dú)獗Ｗo(hù)的雙O-Ring 高溫密封系統(tǒng)，有效隔絕其他氣體滲漏?；准訜釡囟萊T-400℃可控，控制精度±1℃。腔體烘烤溫度RT-200℃可控，控制精度±1℃。
反應(yīng)腔內(nèi)具有可拆卸更換擋版以方便維護(hù)。
反應(yīng)腔采用專業(yè)級(jí)噴淋淋浴式前驅(qū)體勻氣裝置設(shè)計(jì)，可是前驅(qū)體充分、均勻的擴(kuò)散，保證工藝的均勻性。
反應(yīng)腔體及真空腔體的密封蓋的上方是ICP等離子體發(fā)生腔，投標(biāo)貨物中腔體采用側(cè)面進(jìn)樣，且接口為標(biāo)準(zhǔn)法蘭，可直接配備插板閥以及手套箱。
  2．沉積模式
包括以下3種工作模式：高速沉積的連續(xù)模式，沉積超高寬深比結(jié)構(gòu)的停流模式，實(shí)現(xiàn)氧化物精確比例摻雜沉積的專業(yè)沉積模式。
  3．前驅(qū)體源輸運(yùn)系統(tǒng)
共6路前驅(qū)體源，1路為常溫源，可接水和臭氧/氨氣/H2S等氣體；5路為加熱源，加熱溫度RT-200℃可控，控制精度±1℃。加熱源配備耐高溫(325°C)手動(dòng)閥，以及前驅(qū)體源瓶體積50cc。
  4．  前驅(qū)體管路
所有前驅(qū)體管路須全部采用進(jìn)口316L不銹鋼EP級(jí)管路，所有管路加熱溫度RT-200℃可控。管路腔體清洗維護(hù)簡(jiǎn)便，設(shè)備具有"自動(dòng)清洗"的功能,用戶在沉積前與沉積完成后運(yùn)行""自動(dòng)清洗"程序, 清洗管路, 保護(hù)ALD閥門(mén)。可在操作界面上設(shè)置自動(dòng)清洗次數(shù)。
  5. ALD閥
每一路前驅(qū)體配置一個(gè)原子層沉積專用高速高溫ALD閥(Swagelok進(jìn)口)，ALD閥加熱溫度RT-200℃可控。 ALD閥更小脈沖時(shí)間~10 mesh。
  6．載氣系統(tǒng)
N2或者Ar，須配備流量計(jì)，流量控制0-500sccm
  7．配備等離子體(ICP)系統(tǒng)
電感耦合ICP等離子體系統(tǒng)，位于腔體正上方，等離子體開(kāi)關(guān)在控制界面內(nèi)設(shè)置。等離子體氣源：提供3路可用于等離子體工藝的氣路，包含ALD 專用隔膜閥，手動(dòng)截止閥和質(zhì)量流量控制器。射頻電源頻率13.56 MHZ，功率0-500 W可調(diào)，功率不穩(wěn)定度小于等于2W，自動(dòng)匹配調(diào)節(jié)，配備自動(dòng)匹配器，匹配精度不大于5 秒。
  8．真空規(guī)
寬范圍真空規(guī)測(cè)量范圍10E-4Torr~10E+3Torr，備用真空規(guī)一個(gè)用于校驗(yàn)真空。
  9．排氣管路
排氣管路加熱溫度RT-150℃可控；配置截止閥一個(gè)，加熱溫度RT-150℃可控。真空泵配置前級(jí)熱阱，更高加熱溫度可達(dá)到300℃，溫度控制精度為±1℃。
  10．控制硬件
采用PLC+PC控制系統(tǒng)，保證設(shè)備長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行；硬件控制系統(tǒng)須具備1 毫秒前驅(qū)體脈沖時(shí)間的精確分辨控制能力，每一前驅(qū)體脈沖時(shí)間所對(duì)應(yīng)的壓強(qiáng)值必須能重復(fù)在同一個(gè)水平上，保證進(jìn)入反應(yīng)腔的前驅(qū)體的量精確可控。
  11．控制軟件
Windows下的專用全自動(dòng)控制軟件, 全自動(dòng)控制加熱、流量、等全部沉積過(guò)程，以及溫度、壓強(qiáng)等實(shí)時(shí)監(jiān)控。全部沉積過(guò)程(從開(kāi)始到結(jié)束，包括突發(fā)的停機(jī))的參數(shù)實(shí)時(shí)全部記錄，自動(dòng)生成日志文件，都可以事后回放，每個(gè)脈沖曲線都可以顯示回放
  12．粉體樣品夾具
用于沉積1~1000 μm的粉體樣品, 一套4個(gè)；樣品池尺寸Ф30mmX1.5mm
  13臭氧發(fā)生器
配備臭氧發(fā)生器(韓國(guó)進(jìn)口)、裂解器（臭氧破壞器）、控制臭氧的質(zhì)量流量控制器(量程為0-200 scams)，臭氧源系統(tǒng)集成在機(jī)柜中；臭氧發(fā)生器產(chǎn)量20 g/h，濃度更高可達(dá)100 g/m；臭氧發(fā)生器采用風(fēng)冷方式無(wú)需配備冷卻水。
  14．真空機(jī)械泵系統(tǒng)
采用惰性泵油的機(jī)械泵系統(tǒng)，抽速40m3/h(10L/s)，品牌Edwards
  15. 驗(yàn)收指標(biāo)
廠家須提供標(biāo)準(zhǔn)的工藝配方，在滿足第14條工藝要求的同時(shí)，按以下內(nèi)容現(xiàn)場(chǎng)制備與驗(yàn)收：
Al2O3 均勻性 ≤+/−1%；
在4-6英寸晶圓上沉積100nm，取5個(gè)不同點(diǎn)（上、下、左、右、中心）進(jìn)行測(cè)試，計(jì)算厚度標(biāo)準(zhǔn)偏差。
在保證以上薄膜質(zhì)量的前提下，前驅(qū)體TMA的脈沖時(shí)間不得超過(guò) 0.02秒
測(cè)量方法：橢偏儀
四．安裝培訓(xùn)： 廠家工程師現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行安裝與培訓(xùn)，包括操作，維護(hù)及安全使用等，確保人員熟練使用
  主機(jī)       數(shù)量1套        標(biāo)準(zhǔn)6英寸原子層沉積系統(tǒng)
包括：
2 路前驅(qū)體源, 包括管路、高溫ALD閥門(mén)、50ml 源瓶，1路為加熱源，1路為常溫源
沉積自動(dòng)控制系統(tǒng),
ALDT沉積程序控制軟件,
預(yù)裝Windows 的品牌筆記本電腦,（14英寸筆記本電腦（i7-8550U 8G 256GSSD+1T 2G獨(dú)顯 FHD）
  選配前驅(qū)體源 4套：包括管路、加熱套、高溫ALD 閥門(mén)、50ml 源瓶（更高可配6路前驅(qū)體）
  臭氧發(fā)生器系統(tǒng) 1套：韓國(guó)進(jìn)口高濃度臭氧發(fā)生器，包括管路，裂解器附件更高產(chǎn)量20g/h，更大濃度8%(w/w)
  粉體樣品夾具1套：用于沉積1~1000 μm 的粉體樣品, 一套4個(gè)樣品池尺寸Ф30mmX1.5mm
  ICP等離子體系統(tǒng) 1套：ICP等離子體源系統(tǒng)；
包括： ICP源0~500W可調(diào)；自動(dòng)匹配器； 等離子體發(fā)生器；
3路等離子體源, 配備質(zhì)量流量計(jì)(MFC)，一路為Ar，其他H2,O2, N2, NH3,H2S等氣體可選
  氣路連接配件1套，氧氣/氮?dú)獾臏p壓閥、管路、接頭等連接附件，用于以上氣體的使用
  備用真空規(guī) 1個(gè)：用于校準(zhǔn)和更換
  真空機(jī)械泵系統(tǒng)1套：機(jī)械泵與相關(guān)管路
真空機(jī)械泵型號(hào)：E2M40-F
  運(yùn)輸與保險(xiǎn): 運(yùn)到用戶指定地點(diǎn)
  3日現(xiàn)場(chǎng)安裝與培訓(xùn)
五、技術(shù)指標(biāo) 1 反應(yīng)腔
316L不銹鋼?？梢陨L(zhǎng)更大6 英寸樣品的腔體，氮?dú)獗Ｗo(hù)的雙O-Ring 高溫密封系統(tǒng)，有效隔絕其他氣體滲漏。基底加熱溫度RT-400℃可控，控制精度±1℃。腔體烘烤溫度RT-200℃可控，控制精度±1℃。
反應(yīng)腔內(nèi)具有可拆卸更換擋版以方便維護(hù)。
反應(yīng)腔采用專業(yè)級(jí)噴淋淋浴式前驅(qū)體勻氣裝置設(shè)計(jì)，可是前驅(qū)體充分、均勻的擴(kuò)散，保證工藝的均勻性。
反應(yīng)腔體及真空腔體的密封蓋的上方是ICP等離子體發(fā)生腔，投標(biāo)貨物中腔體采用側(cè)面進(jìn)樣，且接口為標(biāo)準(zhǔn)法蘭，可直接配備插板閥以及手套箱。
  2  沉積模式
包括至少以下2種工作模式：高速沉積的連續(xù)模式，沉積超高寬深比結(jié)構(gòu)的停流模式，實(shí)現(xiàn)氧化物精確比例摻雜沉積的專業(yè)沉積模式。
  3     前驅(qū)體源：共6路前驅(qū)體源；1路為常溫源，5路為加熱源，加熱溫度RT-200℃可控，控制精度±1℃；加熱源配備高溫手動(dòng)閥；標(biāo)準(zhǔn)前驅(qū)體源瓶體積50cc。
1路為常溫源可接水/臭氧/氧氣/氨氣/H2S源等，制備氧化物，氮化物和硫化物。 任意一路加熱源可接相關(guān)前驅(qū)體源。0cc。
  4．  前驅(qū)體管路
所有前驅(qū)體管路須全部采用進(jìn)口316L不銹鋼EP級(jí)管路，所有管路加熱溫度RT-200℃可控。
  5 ALD閥
每一路前驅(qū)體配置一個(gè)原子層沉積專用高速高溫ALD閥(Swagelok進(jìn)口)，ALD閥加熱溫度RT-200℃可控。 ALD閥更小脈沖時(shí)間~10 mesh。
  6     真空規(guī)    寬范圍真
空規(guī)，測(cè)量范圍2x10-4 to 10+3 torr.
  7 排氣管路
排氣管路加熱溫度RT-150℃可控；配置截止閥一個(gè)，加熱溫度RT-150℃可控。真空泵配置前級(jí)熱阱，更高加熱溫度可達(dá)到300℃，溫度控制精度為±1℃。
  8 臭氧發(fā)生器
配備臭氧發(fā)生器(韓國(guó)進(jìn)口)、臭氧破壞器、控制臭氧的質(zhì)量流量控制器(量程為0-200 scams)，臭氧源系統(tǒng)集成在機(jī)柜中；臭氧發(fā)生器產(chǎn)量20 g/h，濃度更高可達(dá)100 g/m；臭氧發(fā)生器采用風(fēng)冷方式無(wú)需配備冷卻水。
  7．配備等離子體(ICP)系統(tǒng)
電感耦合ICP等離子體系統(tǒng)，位于腔體正上方，等離子體開(kāi)關(guān)在控制界面內(nèi)設(shè)置。等離子體氣源：提供3路可用于等離子體工藝的氣路，包含ALD 專用隔膜閥，手動(dòng)截止閥和質(zhì)量流量控制器。射頻電源頻率13.56 MHZ，功率0-500 W可調(diào)，功率不穩(wěn)定度小于等于2W，自動(dòng)匹配調(diào)節(jié)，配備自動(dòng)匹配器，匹配精度不大于5 秒。
  10    控制硬件       PLC控制系統(tǒng)。
  11    控制軟件       ALD 專用軟件全自動(dòng)控制加熱、流量、等全部沉積過(guò)程，以及溫度、壓強(qiáng)等實(shí)時(shí)監(jiān)控。
  12    真空機(jī)械泵    愛(ài)德華進(jìn)口機(jī)械泵
  13    安裝培訓(xùn)       工程師現(xiàn)場(chǎng)安裝培訓(xùn)。
  14    保修       3年免費(fèi)保修，自驗(yàn)收之日起。